　　對(duì)AT切晶體來(lái)說(shuō)，在晶體使用初期，老化主要受元件內(nèi)部應(yīng)力釋放影響，頻率向升高方向變化，而后期受電極膜吸附的影響，，其頻率按對(duì)數(shù)關(guān)系向降低方向變化，隨時(shí)間增加變化量逐漸降低，見(jiàn)圖4。為減小出廠時(shí)的老化率，生產(chǎn)商大都對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行了預(yù)老化。

　　對(duì)老化指標(biāo)，一般都規(guī)定產(chǎn)品的老化水平,而它并非明確的試驗(yàn)條件,這種“水平”，是通過(guò)生產(chǎn)有計(jì)劃的抽檢而獲得的。可能某些個(gè)別晶體元件比規(guī)定水平會(huì)差，這是允許的。

　　目前電阻焊密封的石英晶體元件的老化率水平可以控制±5×10-6以下，對(duì)于普通精度產(chǎn)品（頻差大于±30×10-6）的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，老化指標(biāo)對(duì)元件工作影響并不是很重要，對(duì)于小公差（±0×10-6）以下）的晶體元器件來(lái)說(shuō)老化是需要關(guān)注的指標(biāo)。

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